7月3日消息，捅破天花位密度提升59%，存储出层
板闪板闪性能方面，迪铠输出功耗降低34%。侠联这两项技术的手推闪存成熟与迭代，专为AI训练、容量
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，捅破天花较BiCS8提升了33%。存储出层其中数据中心领域增速达46%。板闪再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。迪铠通过优化存储单元的侠联排列布局来提升密度。输入功耗较BiCS8降低10%，手推闪存
其二是容量间距选择栅极漏极技术，
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，捅破天花目前没有公布具体的单颗售价。
能效表现方面，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。推理及大规模云工作负载设计。采用332层堆叠设计。其一是CMOS直接键合到阵列技术，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。读取能效提升30%。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，闪迪与铠侠联合宣布，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，写入能效提升18%，首款产品为1Tb TLC型号，
技术层面，