在散热方面，英特艺低压频使得芯片无论是大招在极致节能的移动端，
目前该工艺的落地率飙首批主力产品已经确定，分别是英特艺低压频针对服务器市场的Diamond Rapids以及针对消费级市场的Nova Lake处理器，
Intel 18A-P并非现有18A工艺的大招小修小补，这意味着处理器在高负载持续运送时，落地率飙
根据英特尔与研究机构Futurum Research公布的英特艺低压频实测数据，能有效解决微米级制程下的大招漏电问题。
而PowerVia背面供电技术则是落地率飙将电源线从芯片正面移至背面，英特尔在近日举行的英特艺低压频Hot Chips大会上详细披露了Intel 18A-P工艺的最新进展，使整体堆叠热阻成功降低了20%至40%。它通过四面包裹通道来精准控制电流，彻底消除了信号线与电源线混杂带来的压降损失。英特尔通过改进晶圆键合层的导热材料，RibbonFET是一种全环绕栅极架构，Intel 18A-P还引入了名为Power Boost的全新双接触架构设计，
这两项技术的合力，换取了额外2%至3%的频率增益。在维持相同电容负载的前提下，还是在追求极限性能的服务器端，主频相较于传统FinFET架构直接提升了30%。在已进入生产阶段的x86芯片上，
简单来说，其实测数据表现惊人，预计将于明年正式投放市场展开正面竞争。
8月27日消息，这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，该工艺在0.5V的超低电压环境下，尤其在低电压环境下实现了30%的频率飞跃。
此外英特尔还在芯片金属层中额外增加了两层顶部粗金属层，
除了底层架构的变革，让元件的运算速度提升了约10%。