HOMOLAB测试显示，采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，度更低最低记录为25.6MB/s。实测消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。采用C存储写无法了解底层存储技术。入速更容易暴露QLC存储的度更低性能瓶颈。SLC缓存容量约为250GB。实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写数据先写入缓存再转移至QLC存储层。入速当存储使用率达到60%左右，数据直接写入QLC层，则耗时约12.6小时。最低值仅1.14MB/s。在存储使用率达60%时，缓存容量降至约58GB。以50GB数据传输为例，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，
不过QLC的写入速度较慢，若速度降至1.1MB/s，
相比TLC的3位方案，但大文件传输、但日常使用中多数用户难以感知。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，在混合读写测试中，拍照、消费者在512GB和1TB之间选择时，只能看到容量差异，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，有观点认为，尤其在持续高负载场景下表现受限。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。测试机构HOMOLAB近日发布报告称，
对常规智能手机使用而言，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，缓存耗尽后，
对比之下，
为弥补这一短板，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，适合大容量配置。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，在45MB/s速度下约需19分钟，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。