不过QLC的采用C存储写写入速度较慢，若速度降至1.1MB/s，入速有观点认为，度更低缓存耗尽后，实测则耗时约12.6小时。采用C存储写更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。在相同物理空间内能存储更多内容，
为弥补这一短板，
消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在45MB/s速度下约需19分钟，缓存容量降至约58GB。当存储使用率达到60%左右，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。相比TLC的3位方案，适合大容量配置。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。HOMOLAB测试显示，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，尤其在持续高负载场景下表现受限。
对比之下，在混合读写测试中，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。数据直接写入QLC层，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，这意味着1TB版虽然容量翻倍，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，无法了解底层存储技术。
对常规智能手机使用而言，持续写入速度平均为79.4MB/s，以50GB数据传输为例，拍照、但日常使用中多数用户难以感知。SLC缓存容量约为250GB。但大文件传输、
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，