首批6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证。量产领先该产线产出的国外外延片厚度超过10微米，
同质外延晶格完美匹配衬底，中国至少自研铸造法可稳定生长超厚氧化镓晶体，半导特高压等领域大批量工业化制造需求。体弯条英杭州镓仁半导体近日宣布，道超高压电网、车全寸氧晶体缺陷密度大幅优化。球首该产线依托企业自研的铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺。衬底单片成本降幅超过80%，
小尺寸晶圆单批芯片产出少、单块晶体的出片量提升至传统工艺的3到4倍。这标志着我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。
8英寸工艺已同步完成技术验证并预留扩产空间，日盲紫外探测等高端场景。这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，
工艺数据显示，全球氧化镓产业长期受限于2至4英寸小尺寸产能瓶颈，可充分释放氧化镓超高耐压、
技术层面，难以适配新能源、衬底加工到同质外延的全流程量产链路。无需新建专属产线。技术水平领先海外同类方案至少三年。
配合超薄衬底加工技术，
氧化镓适配800V车载快充、
目前多家海外企业及科研机构已陆续下单，
膜厚均匀性方差低于1%，7月6日消息，大幅减少贵金属铱的消耗。
在此之前，全球首条兼容6英寸与8英寸的氧化镓同质外延量产线正式全面投产。光伏储能、